PHS-memory RAM passend für Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks
Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks, 1 x 4GBMehr als 10 Stück an Lager beim Lieferanten
Speicherkonfiguration
Produktinformationen
Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 4 GB. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung zur Verbesserung der Systemleistung und sorgt für eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und einem Formfaktor von SO-DIMM ist dieser DDR3-RAM optimal für Laptops geeignet. Die Verwendung von LPDDR3-Technologie gewährleistet eine effiziente Energieverwaltung, während die Spannung von 1,35 Volt eine stabile Leistung sicherstellt. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell garantiert eine einfache Installation und eine zuverlässige Funktionalität, wodurch der RAM eine wertvolle Ergänzung für Ihr Gerät darstellt.
- 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks
- Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung
- Energieeffizienter LPDDR3-Chip mit 1,35 Volt Spannung
- SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation in Laptops.
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Artikelnummer | 22390632 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP373800 |
Release-Datum | 16.9.2022 |
Passende Marke | Packard Bell |
Passendes Modell | Packard Bell EasyNote LE11BZ-11204G75Mnks |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR3L-1333 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
Spannung | 1.35 V |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
30 Tage Rückgaberecht