Ferroelektrischer RAM-Speicher (FRAM) ist dynamischem RAM-Speicher sehr ähnlich, jedoch mit einer ferroelektrischen Schicht anstelle einer dielektrischen. Das SPI-FRAM-Breakout-Board eignet sich hervorragend für Niederleistungsanwendungen oder Anwendungen mit unbeständiger Spannungsversorgung und zum Loggen bzw. Puffern von Daten. Dieser FRAM-Chip verfügt über 8 kByte Speicher und eine SPI-Schnittstelle mit einer Taktfrequenz von bis zu 20 MHz. Wie beim SRAM kann jedes Byte unmittelbar 10 Billionen Mal gelesen und geschrieben werden und der Speicher hält 95 Jahre bei Zimmertemperatur. Dieser Chip kann mit 3 V oder 5 V Versorgungs- und Logikspannung betrieben werden. Der Speicher ist steckbrettfreundlich ausgeführt mit einem 2,54 mm Raster zum Anlöten einer Stiftleiste.