Micron 4GB DDR4 RAM Speicher SO DIMM PC4-2666V-S 1Rx16 260 Pin DIMM 1,2 Volt - 4 GB - D
1 x 4GB, 2666 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMMProduktinformationen
Der 4GB DDR4 RAM Speicher von Micron ist eine leistungsstarke und zuverlässige Lösung für Notebooks, die eine verbesserte Leistung und Effizienz benötigen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2666 MHz und einer Übertragungsrate von 21300 MT/s bietet dieser SO-DIMM-RAM eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen. Der unbuffered RAM ist speziell für den Einsatz in mobilen Geräten konzipiert und ermöglicht eine schnelle Datenverarbeitung. Mit einer CAS-Latenz von 19 sorgt dieser Arbeitsspeicher für eine reibungslose und effiziente Nutzung, während die Betriebsspannung von 1,2 Volt den Energieverbrauch minimiert. Die 260 Pins gewährleisten eine einfache Installation in kompatiblen Geräten, was diesen RAM zu einer idealen Wahl für Upgrades oder Neubauten macht.
- Speichertaktfrequenz von 2666 MHz für verbesserte Leistung
- Übertragungsrate von 21300 MT/s
- Unbuffered Design für mobile Anwendungen
- Optimale Energieeffizienz mit 1,2 Volt Betriebsspannung.
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
CAS-Latenzzeit | 19 |
Spannung | 1.20 V |
Artikelnummer | 30610852 |
Hersteller | Micron |
Kategorie | RAM |
Herstellernr. | MTA4ATF51264HZ-2G6E3 |
Release-Datum | 27.4.2021 |
LED Farbe | ohne LED |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR4-RAM |
Speichertaktfrequenz | 2666 MHz |
Arbeitsspeicher Chip | DDR4-2667 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 260x |
RAM-Puffer | unbuffered |
CAS-Latenzzeit | 19 |
Spannung | 1.20 V |
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