Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für die Lenovo ThinkStation S20 (4217) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und der DDR3 UDIMM ECC Technologie gewährleistet dieser RAM eine stabile und fehlerfreie Leistung, die für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Szenarien erforderlich ist. Die ECC (Error-Correcting Code) Funktion sorgt dafür, dass Datenfehler automatisch erkannt und korrigiert werden, was die Datensicherheit erhöht und die Systemstabilität verbessert. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Benutzer, die die Leistung ihrer Lenovo ThinkStation S20 optimieren möchten, sei es für professionelle Anwendungen, kreative Projekte oder alltägliche Aufgaben.

• 100% kompatibel mit Lenovo ThinkStation S20 (4217)
• ECC-Technologie für verbesserte Datensicherheit
• Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für optimale Leistung
• U-DIMM Formfaktor für einfache Installation.