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PHS-memory 4GB RAM Speicher für NEC Express 5800 GT110b DDR3 UDIMM ECC 1333MHz
NEC Express 5800 GT110b, 1 x 4GBPreis in EUR inkl. MwSt.
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den NEC Express 5800 GT110b konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und der DDR3 UDIMM ECC Technologie gewährleistet dieser Arbeitsspeicher eine stabile und effiziente Leistung, die für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking geeignet ist. Die unbuffered Konfiguration und die 240 Pins machen die Installation einfach und kompatibel mit dem NEC Express 5800 GT110b. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, ohne Kompromisse bei der Qualität einzugehen.
- Kompatibel mit NEC Express 5800 GT110b
- DDR3-RAM mit 1333 MHz Taktfrequenz
- Unbuffered Design für verbesserte Leistung
- Einfache Installation dank 240-Pin DIMM Formfaktor.
Passende Marke | NEC |
Passendes Modell | NEC Express 5800 GT110b |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
RAM-Puffer | unbuffered |
Artikelnummer | 14363779 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP202014 |
Release-Datum | 22.11.2020 |
Passende Marke | NEC |
Passendes Modell | NEC Express 5800 GT110b |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | LPDDR3 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | DIMM |
Anzahl Pins | 240 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
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30 Tage Rückgaberecht
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