PHS-memory 4GB RAM Speicher für Samsung NP-RC530-S0B DDR3 SO DIMM 1333MHz
Samsung NP-RC530-S0B, 1 x 4GBPreis in EUR inkl. MwSt.
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Produktinformationen
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-RC530-S0B Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die 100%ige Kompatibilität mit dem Samsung NP-RC530-S0B gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der Arbeitsspeicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn energieeffizient macht. Diese Speicherkapazität von 4 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und verbessert die Gesamtleistung des Systems.
- Kompatibel mit Samsung NP-RC530-S0B
- Speichertaktfrequenz von 1333 MHz
- Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung
- DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.
RAM-Puffer | unbuffered |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Passendes Modell | Samsung NP-RC530-S0B |
Passende Marke | Samsung |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Artikelnummer | 14224124 |
Hersteller | PHS-memory |
Kategorie | RAM Modellspezifisch |
Herstellernr. | SP127701 |
Release-Datum | 13.11.2020 |
LED Farbe | ohne LED |
Passende Marke | Samsung |
Passendes Modell | Samsung NP-RC530-S0B |
Speicherkonfiguration | 1 x 4GB |
Hardware Anwendungsbereich | Notebook |
Arbeitsspeichertyp | DDR3-RAM |
Speichertaktfrequenz | 1333 MHz |
Anzahl Speichermodule (RAM) | 1 x |
Speicherkapazität (RAM) pro Modul | 4 GB |
Arbeitsspeicher Chip | DDR3L-1333 |
Arbeitsspeicher Formfaktor | SO-DIMM |
Anzahl Pins | 204 x |
RAM-Puffer | unbuffered |
Spannung | 1.50 V |
Ursprungsland | China |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Produktsicherheit |
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30 Tage Rückgaberecht
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