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PHS-memory RAM passend für Netgear ReadyNAS RN 428

Netgear ReadyNAS RN 428, 1 x 4GB
Preis in EUR inkl. MwSt.
Zwischen Sa, 11.4. und Di, 14.4. geliefert
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Produktinformationen

Der RAM von PHS-memory ist speziell für den Netgear ReadyNAS RN 428 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 2400 MHz sorgt dieser DDR4-RAM für eine verbesserte Systemleistung und schnellere Datenverarbeitung. Die DIMM-Bauform und die 288 Pins gewährleisten eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem ReadyNAS RN 428. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres NAS-Systems steigern möchten, sei es für Datenmanagement, Multimedia-Anwendungen oder andere anspruchsvolle Aufgaben. Die Spannung von 1,2 Volt sorgt zudem für einen energieeffizienten Betrieb, was die Gesamtbetriebskosten senken kann.

  • Speicherkapazität von 4 GB für verbesserte Systemleistung
  • Taktfrequenz von 2400 MHz für schnelle Datenverarbeitung
  • Energieeffiziente Spannung von 1,2 Volt
  • Kompatibel mit dem Netgear ReadyNAS RN 428.

Das Wichtigste auf einen Blick

Passende Marke
Netgear
RAM für Modell
Netgear ReadyNAS RN 428
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR4-RAM
Speichertaktfrequenz
2400 MHz
RAM-Puffer
unbuffered

Allgemeine Informationen

Artikelnummer
22390615
Hersteller
PHS-memory
Kategorie
RAM Modellspezifisch
Herstellernr.
SP371711
Release-Datum
16.9.2022

Arbeitsspeicher

Passende Marke
Netgear
RAM für Modell
Netgear ReadyNAS RN 428
Speicherkonfiguration
1 x 4GB
Arbeitsspeichertyp
DDR4-RAM
Speichertaktfrequenz
2400 MHz
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
4 GB
Arbeitsspeicher Chip
DDR4
Anzahl Pins
288x
RAM-Puffer
unbuffered

Energieversorgung

Spannung
1.20 V

Herkunft

Ursprungsland
China

Freiwilliger Klimabeitrag

CO₂-Emission
81,33 kg
Klimabeitrag
EUR 2,03

Rechtlicher Hinweis

Produktsicherheit

14 Tage gesetzl. Widerruf
30 Tage Rückgaberecht
24 Monate gesetzl. Gewährleistung
Rechtliche Bedenken

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