Der Samsung M425R4GA3BB0-CWM ist ein leistungsstarker DDR5-RAM, der speziell für den Einsatz in PCs konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 32 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 16 GB, bietet dieser RAM eine hohe Leistung und Effizienz für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking. Die Speichertaktfrequenz von 5600 MHz sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während die CAS-Latenz von 46 eine reaktionsschnelle Leistung gewährleistet. Der SO-DIMM Formfaktor mit 262 Pins macht ihn ideal für kompakte Systeme und Laptops, die eine hohe Speicherkapazität benötigen. Mit einer Betriebsspannung von nur 1.1 Volt ist dieser RAM zudem energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Gesamtstromverbrauchs bei. Der unbuffered RAM-Chip sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Leistung weiter optimiert.

• Hohe Speicherkapazität von 32 GB für anspruchsvolle Anwendungen
• Schnelle Speichertaktfrequenz von 5600 MHz für verbesserte Leistung
• Energieeffiziente Betriebsspannung von 1.1 Volt
• Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU.