Der TS32MSQ64V6M ist ein 32M x 64-Bit DDR2-667 SO-DIMM. Er besteht aus 4 Stück 32Mx16-Bit DDR2 SDRAMs in 84-Ball FBGA-Gehäusen und einem 2048-Bit seriellen EEPROM auf einer 200-Pin-Leiterplatte. Der TS32MSQ64V6M ist ein Dual In-Line-Speichermodul, das für die Montage in 200-Pin-Kantensteckverbindern vorgesehen ist. Das synchrone Design ermöglicht eine präzise Zyklussteuerung mit dem Systemtakt. Daten-I/O-Transaktionen sind an beiden Flanken von DQS möglich. Eine Reihe von Betriebsfrequenzen und programmierbaren Latenzen ermöglicht es, dass dasselbe Gerät für verschiedene Hochbandbreiten- und Hochleistungs-Speichersystemanwendungen nützlich ist.

Eigenschaften:

• RoHS-konforme Produkte.
• JEDEC-Standard 1,8V ± 0,1V Stromversorgung
• VDDQ = 1,8V ± 0,1V
• Maximaler Taktfrequenz: 267MHz; 667Mb/s pro Pin.
• Posted CAS
• Programmierbare CAS-Latenz: 3, 4, 5
• Programmierbare additive Latenz: 0, 1, 2, 3 und 4
• Schreiblatenz (WL) = Leselatenz (RL) - 1
• Burst-Länge: 4, 8 (interleaved/nibble sequenziell)
• Programmierbarer sequenzieller/interleaved Burst-Modus
• Bidirektionale differentielle Datenstrobe (einseitige Datenstrobe ist eine optionale Funktion)
• Off-Chip-Treiber (OCD) Impedanzanpassung
• MRS-Zyklus mit Adressschlüsselprogrammen
• On-Die-Terminierung
• Serielle Präsenzdetektion mit EEPROM.