Das Buch "Design, Modelling and Application of the IGBT" bietet eine umfassende Analyse und Optimierung von IGBT-Strukturen, die in der Leistungselektronik von entscheidender Bedeutung sind. Es behandelt die physikalischen Betriebsmechanismen konventioneller IGBT-Designs und untersucht die Leitfähigkeitsmodulation im Detail. Ein neuartiges komposites Modell wird vorgestellt, das eine schnelle Berechnungsgeschwindigkeit bei angemessener Genauigkeit ermöglicht. Darüber hinaus werden die Auswirkungen der zweidimensionalen IGBT-Struktur auf die elektrischen Eigenschaften analysiert und ein entsprechendes Modell entwickelt, das sowohl für das Design von Bauteilstrukturen als auch für die Schaltungssimulation nützlich ist. Das Buch bietet auch eine umfassende Überprüfung und Klassifizierung bestehender IGBT-Modelle in der Literatur und diskutiert die Anforderungen, Probleme und Trends im Bereich der IGBT-Modellierung. Zudem werden Anwendungsprobleme wie negative Gate-Bias-Anforderungen im ausgeschalteten Zustand und der Einsatz von Einschalt-Dämpfungselementen behandelt. Die Unterschiede im elektrischen, thermischen und fehlerhaften Verhalten zwischen PT-IGBTs und NPT-IGBTs werden ebenfalls untersucht.