Das Buch "Device and Circuit Cryogenic Operation for Low Temperature Electronics" bietet eine umfassende Analyse der Leistung und physikalischen Mechanismen fortschrittlicher Geräte und Schaltungen bei kryogenen Temperaturen. Es richtet sich an Fachleute und Studierende, die sich mit der Anwendung von Elektronik in extremen Temperaturbereichen beschäftigen. Die ersten Kapitel konzentrieren sich auf Bulk-Silizium und SOI-MOSFETs, wobei Aspekte wie der elektronische Transport in der Inversionsschicht und die Zuverlässigkeit der Geräte behandelt werden. Weitere Kapitel widmen sich Silizium-Germanium-Transistoren und III-V-Heterojunction-Bipolar-Transistoren sowie deren einzigartigen kryogenen Eigenschaften. Das Buch untersucht auch quantenmechanische Effekte in Siliziummaterialien und bietet einen Überblick über die Leistung kryogener Schaltungen und deren Anwendungen. Mit einem klaren Fokus auf die physikalischen Grundlagen und praktischen Anwendungen ist dieses Werk eine wertvolle Ressource für alle, die sich mit der Entwicklung und dem Betrieb von Elektronik bei niedrigen Temperaturen befassen.