Das Fachbuch "Poluchenie i issledovaniya jenergeticheskih spektrov i opticheskih svojstv" bietet eine umfassende Analyse der Prinzipien zur Erzeugung neuer komplexer Halbleiterverbindungen. Es behandelt die theoretischen Grundlagen, die zur Berechnung der Bandstrukturen dreifacher Verbindungen wie TlInSe2, TlGaTe2 und InGaSe2 verwendet werden. Die Arbeit zeigt auf, dass die Valenzbänder dieser Verbindungen in drei Untergruppen unterteilt werden können, wobei die obere Gruppe mit einem Ursprung in p-Zuständen assoziiert ist. Zudem wird die Analyse der Wellenfunktionen der Valenzzustände durchgeführt, um die Eigenschaften der Halbleiter zu verstehen. Die Ergebnisse werden mit bestehenden theoretischen und experimentellen Daten verglichen, was zu einer zufriedenstellenden Übereinstimmung führt. Dieses Buch richtet sich an Fachleute und Studierende, die sich mit Halbleiterphysik und Materialwissenschaften beschäftigen.