Das Buch "Silicon Quantum Integrated Circuits" bietet eine umfassende Analyse der quantenmechanischen Effekte, die in der Mikroelektronik von zunehmender Bedeutung sind, insbesondere wenn die Strukturgrössen auf 100 nm in der lateralen Dimension und 10 nm in der vertikalen Dimension schrumpfen. Es behandelt fortschrittliche Gerätekonzepte, die diese Effekte nutzen, um integrierte Schaltungen mit neuartigen oder verbesserten Eigenschaften zu entwickeln. Der Fokus liegt auf siliziumbasierten Quantenbauelementen, die bei Raumtemperatur betrieben werden können. Die Autoren diskutieren die grundlegenden physikalischen Prinzipien, Materialien und technologischen Aspekte sowie die fundamentale Funktionsweise der Geräte in einem interdisziplinären Kontext. Besonders hervorgehoben wird die Rolle von Silizium-Deutschium (SiGe) Heterostrukturbauelementen in der Realisierung der siliziumbasierten Quanten-Elektronik.