Produktinformationen
Die V-NAND-Flash-Technik durchbricht die Kapazitätsgrenzen durch ihre innovative vertikale Architektur. Das Ergebnis ist eine höhere Zelldichte für mehr Kapazität, frei von Interferenzen von Zelle zu Zelle, die neue Standards in Bezug auf Geschwindigkeit, Energieeffizienz und Leistung setzt.
SSD Typ | M.2 SSD |
Schnittstelle | M.2 Key B+M |
Protokoll | AHCI (SATA) |
Schreibrate | 500 MB/s |
Leserate | 540 MB/s |
Max. Random 4k Read | 97000 IOPS |
Max. Random 4k Write | 88000 IOPS |
Artikelnummer | 8775617 |
Hersteller | Samsung |
Kategorie | SSD |
Herstellernr. | MZNLN512HAJQ-00000 |
Release-Datum | 11.12.2017 |
SSD Typ | M.2 SSD |
Speicher Formfaktor | M.2 2280 |
Speicherkapazität | 512 GB |
Schnittstelle | M.2 Key B+M |
Protokoll | AHCI (SATA) |
Leserate | 540 MB/s |
Schreibrate | 500 MB/s |
Speicherart (NAND) | TLC |
Max. Random 4k Read | 97000 IOPS |
Max. Random 4k Write | 88000 IOPS |
SSD Features | SSD TRIM Support |
CO₂-Emission | |
Klimabeitrag |
Länge | 8.80 cm |
Breite | 2.20 cm |
Höhe | 0.35 cm |
Länge | 10 cm |
Breite | 4 cm |
Höhe | 1.80 cm |
Gewicht | 12 g |
Produktsicherheit |